聚四氟乙烯（特氟龙）实验室器皿

6英寸圆形PTFE晶圆承载器耐酸碱半导体清洗花篮可定制

货号 : PL-CP55

价格根据规格和定制情况变动

耐化学性: 通用 (pH 0-14)
工作温度: -200°C 至 +260°C
晶圆尺寸容量: 6英寸 (150毫米)

运输:

联系我们获取运输详情享受准时发货保证.

描述
下载

查看参数请求您的定制报价 👋

获取报价

在线沟通查看参数

为什么选择我们

简易的订购流程、优质的产品和专业的支持，助力您的业务成功。

流程简单品质保证专业支持

产品概述

产品图片 1

产品图片 2

产品图片 4

这款高纯度PTFE圆形晶圆承载器是半导体湿法工艺和高级实验室清洗方案中不可或缺的工具。专为6英寸基板设计，该设备作为一个坚固且化学惰性的容器，在关键的蚀刻、冲洗和剥离阶段促进流体均匀接触。通过使用原生含氟聚合物材料，该装置确保精密的硅或砷化镓晶圆免受机械应力和金属离子污染，保持敏感微电子结构的完整性。

该设备主要用于半导体制造洁净室、光伏电池生产线和高等级分析化学实验室，在传统塑料、玻璃或金属承载器会失效的环境中表现出色。圆形“花篮”设计针对浸入式操作进行了优化，允许清洗剂与基板之间实现最大表面积接触。这种设计理念对于实现现代电子制造所需的高良率结果至关重要。

客户可以完全放心地投资此系统，因为它由精密CNC加工制造，并绝对注重材料纯度。含氟聚合物结构的固有特性——包括其不粘表面和极高的热稳定性——确保即使在持续暴露于强腐蚀性化学浴中也能拥有长久的使用寿命。该装置为那些在其湿法工作台工艺中优先考虑可靠性、可重复性和零污染的设施提供了一个高性能解决方案。

主要特点

卓越的化学通用性：由100%原生PTFE制成，该系统能抵抗几乎所有工业溶剂、强酸（包括氢氟酸和食人鱼溶液）和浓碱，确保多年使用无降解。
精密开槽几何结构：内部承载结构采用CNC加工的槽，具有优化的间距和深度，可牢固固定6英寸晶圆，同时最大化蚀刻或冲洗流体在基板表面的流动。
高温操作范围：该设备在从低温到高达260°C的温度范围内保持其结构完整性和尺寸稳定性，适用于加热的化学浴。
零污染特性：材料的非浸出特性防止了痕量金属或有机可萃取物的引入，这对于维持半导体加工中的亚ppb级纯度水平至关重要。
增强的流体动力学：圆形花篮设计，通常称为花篮，包含穿孔或开槽壁，可防止流体停滞，并促进整个化学浴中化学浓度的均匀性。
低摩擦表面保护：承载器天然的滑溜表面可防止在装载和卸载过程中对晶圆边缘造成划痕或机械损伤，从而降低大批量生产中的报废率。
坚固的整体式结构：与注塑替代品不同，该装置通常由单块高密度PTFE加工而成，消除了薄弱点、接缝或潜在的颗粒截留区域。
可定制的配置：该系统可以根据特定需求定制，如槽数、手柄长度或结构加强件，以满足定制化湿法工作台设置或自动化处理工具的独特要求。

应用

应用	描述	主要优势
半导体RCA清洗	将晶圆浸入SC-1和SC-2溶液中以去除有机和离子污染物。	完全耐受氧化剂和高温碱液。
湿法蚀刻工艺	使用氢氟酸或磷酸选择性去除材料层。	精确的基板定位确保整个晶圆的蚀刻深度均匀。
光刻胶剥离	使用强腐蚀性有机溶剂或食人鱼溶液去除光刻胶层。	材料在接触强腐蚀性溶剂时不会膨胀或降解。
太阳能电池制绒	用于提高效率的硅晶圆大批量清洗和表面制绒。	耐用的设计可承受工业规模化学处理的严酷考验。
CMP后冲洗	化学机械抛光后去除浆料颗粒和化学品。	超光滑表面防止颗粒重新附着，便于冲洗。
痕量分析准备	在浓硝酸或盐酸中清洗高纯度实验室组件。	为超痕量元素分析消除了交叉污染风险。
MEMS制造	用于微机电系统生产的专用基板处理。	可定制的槽尺寸适应非标准基板厚度。

技术规格

作为定制产品线，PL-CP55系列专为模块化和特定工艺集成而设计。下表概述了6英寸承载器系列的技术能力和标准配置。

参数	PL-CP55 规格
产品标识	PL-CP55 圆形晶圆承载器（花篮）
材料成分	高纯度原生聚四氟乙烯（PTFE）
晶圆尺寸兼容性	6英寸（150mm）标准（可提供定制尺寸）
配置	圆形开槽花篮 / 穿孔花形设计
槽数 / 容量	可定制（标准选项：10、25或50槽）
工作温度	-200°C 至 +260°C （-328°F 至 +500°F）
耐化学性	pH 0-14 （通用酸/碱/溶剂耐受）
槽宽 / 间距	完全根据用户规格定制
手柄类型	集成固定手柄或可拆卸PTFE摆动手柄（可定制）
表面光洁度	CNC加工光滑（典型 Ra ≤ 0.8μm）
制造方法	100% 精密 CNC 加工（定制产品）
尺寸	定制设计，以适应特定的湿法工作台或槽体尺寸